純度:Al?O?≥99.5%,雜質總量≤0.5%(Na?O≤0.2%、SiO?≤0.2%、Fe?O?≤0.05%)
密度:3.80 g/cm3,莫氏硬度 9 級,磨耗率≤0.01%/24h
粒徑范圍:0.2–20mm,適配預磨、中磨、精磨全工段
核心優勢:高純度 + 高性價比,金屬溶出率 0.1–1ppm,兼顧潔凈度與成本
純度:Al?O?≥99.9%,雜質總量≤0.1%(金屬雜質<1ppm,Fe、Na、Si 均<0.5ppm)
密度:3.90 g/cm3,致密度接近理論值,內部孔隙率<0.5%
粒徑范圍:0.5–1mm 微珠,適配納米砂磨機,專注 D50≤0.1μm 超細研磨
核心優勢:半導體級0污染,磨耗率≤0.005%/24h,批次穩定性提升 40%
痛點:介電粉體(鈦酸鋇)需低雜質、粒徑均勻(D50=0.5–1μm),Na?、Fe3?會導致介電損耗升高、絕緣電阻下降
選型:AL9 φ1–3mm,濕法研磨,CV 值<5%
效果:粉體純度≥99.9%,介電損耗 tanδ<0.0005,良率提升 6%,成本較 AHP 降低 30%
痛點:電阻值對雜質極敏感,微量金屬離子會導致溫漂超差(>±5%)
選型:AL9 φ2–5mm,行星磨濕磨
效果:粉體雜質<0.3%,電阻誤差控制在 ±2% 內,燒結致密度提升 10%
痛點:基板需高絕緣、低介電損耗、表面致密,雜質會降低抗彎強度(<300MPa)
選型:AL9 φ10–20mm,干磨 / 濕磨均可
效果:基板彎曲強度≥350MPa,介電常數穩定在 9.5–10.2,適配 5G 通用基板
痛點:介質層厚度≤2μm,對堿金屬離子(Na?)零容忍,離子遷移會導致短路、擊穿
選型:AHP φ0.5–0.8mm,納米砂磨機,D50≤0.1μm
效果:金屬雜質析出<0.5ppm,介質層厚度波動控制在 ±0.05μm,良率提升 12%
痛點:微量 Fe3?會導致熒光猝滅、色溫漂移,降低發光效率
選型:AHP φ0.5–1mm,超細研磨
效果:粉體白度提升 3%,發光效率提升 8%,批次色差 ΔE<0.8
痛點:金屬雜質(Fe、Cu)會刺破隔膜,引發自放電、熱失控
選型:AHP φ0.8–1.5mm,濕法超細研磨
效果:雜質含量<1ppm,電池循環壽命提升 20%,自放電率降至<2%/ 月
適用場景:99% 氧化鋁陶瓷、氧化鋯增韌陶瓷、陶瓷密封件、刀具坯料
核心價值:
雜質控制:避免晶界雜質偏析,抗彎強度≥400MPa
研磨效率:粒徑 0.2–20mm 全覆蓋,適配球磨 / 攪拌磨,D50=0.1–10μm
成本平衡:較 AHP 性價比高,適合規模化量產
適用場景:半導體陶瓷(壓敏 / 壓電)、透明氧化鋁陶瓷、生物陶瓷、陶瓷基復合材料
核心價值:
極1致純凈:雜質總量<0.1%,保障壓電常數、介電常數穩定,無性能漂移
超細研磨:0.5–1mm 微珠,適配納米級粉體(D50≤0.1μm),燒結晶粒均勻(≤2μm)
極1端工況:耐酸堿、耐高溫(1200℃),適配半導體擴散爐、醫療植入件等高要求場景
| 應用場景 | 純度要求 | 推薦型號 | 推薦粒徑 | 核心考量 |
|---|---|---|---|---|
| 通用 MLCC、熱敏電阻、99% 基板 | 中高(雜質<0.5%) | AL9(99.5%) | 1–5mm | 性價比 + 低污染 |
| 汽車級 MLCC、LED 熒光粉、鋰電正極 | 超高(雜質<1ppm) | AHP(99.9%) | 0.5–1mm | 0污染 + 超細粒徑 |
| 結構陶瓷、密封件、刀具坯料 | 高(雜質<0.5%) | AL9(99.5%) | 5–20mm | 效率 + 成本 |
| 壓電陶瓷、透明陶瓷、半導體元件 | 超高(雜質<1ppm) | AHP(99.9%) | 0.5–1mm | 性能穩定 + 長壽命 |
原廠品質保障:日本 HIRA 原廠生產,JIS 標準管控,每批次附質檢報告,雜質、粒徑、磨耗全追溯
性能壁壘:AL9 兼顧純度與成本,AHP 達半導體級0污染標準,均通過村田、京瓷、寧德時代等頭部企業認證
全規格現貨:AL9(0.2–20mm)、AHP(0.5–1mm)常備庫存,支持試樣與批量快速交付
降本增效:低磨耗(AL9≤0.01%、AHP≤0.005%)、長壽命、高研磨效率,綜合成本較普通高純球降低 40%+